1 月 22 日消息,消息源 DigiTimes 今天(1 月 22 日)發布博文,報道稱三星電子否認了關于重新設計其第五代 10nm 級 DRAM(1b DRAM)的報道。
昨日援引 ETNews 報道,三星電子內部為應對其 12nm 級 DRAM 內存產品面臨的良率和性能雙重困局,已在 2024 年底決定在改進現有 1b nm 工藝的同時從頭設計新版 1b nm DRAM。
市場觀察人士認為,三星修改 1b DRAM 設計的決定源于競爭壓力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM,而三星仍在使用之前的 1a DRAM。
此外,據報道,三星啟動了名為“D1b-p”的開發項目,旨在提高其 DRAM 業務的競爭力,“p”代表“prime”,象征著卓越的品質,該項目重點關注提高電源效率和散熱性能。
▲ 三星電子基于現有 12nm 級制程的 32Gb DDR5
盡管三星是全球 DRAM 領域的領導者,但目前正面臨來自 SK 海力士和美光的挑戰。這兩家公司都已成功商業化 1b DRAM,SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的開發。
有消息稱,三星 Galaxy S25 系列智能手機即將發布,美光將成為其主要的移動 DRAM (LPDDR5) 供應商。這被認為是由于三星尚未完全解決 1b LPDDR5X 的良率和散熱問題。
三星通過該媒體予以否認,稱相關報道不準確。此次事件引發了業界廣泛關注,凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度。
盡管三星否認了重新設計的報道,但業內人士透露,三星的目標是提升 1b DRAM 的性能和良率。據稱,重新設計涉及工藝調整,成本高昂且復雜,三星已緊急訂購設備,計劃在 2024 年底前完成安裝和測試,更新后的 1b DRAM 預計將于 2025 年第二或第三季度量產。
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