據(jù)媒體報道，三星電子高管近日透露，該公司完成了采用16層混合鍵合 HBM 內(nèi)存技術(shù)驗證，已制造出基于混合鍵合技術(shù)的16層堆疊HBM3內(nèi)存樣品，該內(nèi)存樣品工作正常，未來16層堆疊混合鍵合技術(shù)將用于HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。

混合鍵合技術(shù)，作為新型的內(nèi)存鍵合方式，相較于傳統(tǒng)工藝，展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。

它摒棄了DRAM內(nèi)存層間添加凸塊的繁瑣步驟，通過銅對銅的直接連接方式實現(xiàn)層間連接，從而大大提高了工作效率。

這種創(chuàng)新不僅顯著提升了信號傳輸速率，更好地滿足了AI計算對高帶寬的迫切需求，而且有效降低了DRAM層間距，使得HBM模塊的整體高度得到顯著縮減，進一步提升了其集成度和便攜性。

盡管混合鍵合技術(shù)的成熟度和應用成本一直是業(yè)界關(guān)注的焦點，但三星電子通過多元化的策略，積極應對這些挑戰(zhàn)。在推進混合鍵合技術(shù)研究與應用的同時，公司還同步開發(fā)傳統(tǒng)的TC-NCF工藝，以實現(xiàn)技術(shù)多樣化，降低風險，并增強整體競爭力。

據(jù)悉，三星設(shè)定的目標是將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以內(nèi)，這將進一步提升HBM4的性能和可靠性，為未來的計算應用奠定堅實基礎(chǔ)。

業(yè)內(nèi)專家對此表示，三星在16層混合鍵合堆疊工藝技術(shù)方面的突破，無疑將有力推動HBM內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，為未來的計算應用提供更為強大的內(nèi)存支持。