4月9日消息,美國政府宣布,計劃向臺積電提供66億美元現金補貼、50億美元低息貸款,總額116億美元,約合人民幣840億元,支持其在美國本土的芯片制造。
這是美國根據《芯片與科學法案》所批準的最大一筆投資。
同時,臺積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設第三座晶圓廠,在美投資總額將超過650億美元,約合人民幣4700億元。
臺積電在美國第一座晶圓廠Fab 21一期工程計劃2025年上半年投產,引入5nm、4nm工藝。
Fab 21二期工程計劃2028年投產,上馬3nm、2nm工藝。
二者合計年產能可超過60萬塊晶圓,產品市場價值超過400億美元。
最新規劃的第三座晶圓廠計劃升級到2nm和更先進工藝,但投產時間未定,可能要到2029-2030年,也就是第二座工廠完工之后。
臺積電的這些投資,將為美國創造6000個高科技制造工作崗位,以及超過2萬個建筑工作機會,還會花費5000萬美元培訓當地工人。
不過,臺積電在美投資建廠也面臨諸多問題,尤其是進度遠不如預期,一二期工廠最早規劃的投產時間分別是2024年和2026年。
美國《芯片與科學法案》的其他高科技投資還有:Intel 85億美元直接補貼和110億美元低息貸款、GlobalFoundries 15億美元直接補貼、Microchip 1.62億美元直接補貼、BAE 3500萬美元直接補貼。
三星也正擴大在美投資,預計可獲得60億美元補貼。
發布日期: 2024-05-06
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