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西電攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產技術

發布日期：2024-07-15     364 次

7 月 11 日消息，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心研究團隊在藍寶石基增強型 e-GaN 電力電子芯片量產技術研發方面取得突破性進展。

研究團隊攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化鎵）緩沖層外延、p-GaN 柵 HEMTs 設計與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產技術，成功開發出閾值電壓超過 2V、耐壓達 3000V 的 6 英寸藍寶石基增強型 e-GaN HEMTs 晶圓。該研究發表在《IEEE Electron Device Letters》上并入選封面 highlight 論文。

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▲ 6 英寸藍寶石基增強型 e-GaN HEMTs 晶圓

在該項目的研究中，研究團隊還成功研發了 8 英寸 GaN 電力電子芯片，首次證明了 8 英寸藍寶石基 GaN HEMTs 晶圓量產的可行性，并打破了傳統 GaN 技術難以同時兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，被國際著名半導體行業雜志《Semiconductor Today》專題報道。

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