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科友半導體碳化硅晶體厚度突破80mm

發布日期：2024-05-31     366 次

5月29日，科友半導體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發的電阻長晶爐再次實現突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶。

科友半導體表示，這也是國內首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業內主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來降低70%，有效提高企業盈利能力。此批次晶體呈現出微凸的形貌，表面光滑無明顯缺陷。

據了解，物理氣相傳輸（PVT）法生長碳化硅單晶具有質量可控、工藝成熟的優勢，但晶體厚度一直是主要制約，而溶液法在提高晶體厚度方面表現突出，但是目前仍尚未能實現真正的產業化生產。

科友半導體基于自研電阻爐，通過借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩定生長的優勢，將兩種制備方法的優勢成功結合到一起。

資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，形成自主知識產權，已累計授權專利80余項，實現先進技術自主可控。

科友半導體在哈爾濱新區打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區，實現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業鏈閉合，致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。

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