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GaN Systems為瑞薩提供氮化鎵,用于48V/12V雙向DC/DC轉換器

發布日期:2024-04-28     357 次

GaN Systems 日前宣布,瑞薩電子公司的新型汽車 48V/12V 雙向 DC/DC 轉換器由 GaN Systems提供功率晶體管,從而顯著提高了功率密度。 新的轉換器采用 GaN Systems 的 GS61008P(一款 100V 增強型硅基 GaN 功率晶體管),實現系統尺寸減小 46%。

瑞薩電子的解決方案針對需要高效率 48V/12V DC/DC 轉換器的 48V 輕度混合動力汽車和電動摩托。 GaN 可實現高開關頻率和高效率,這意味著更小的磁性元件和更小的尺寸。 與使用 Si-MOSFET 相比,GaN Systems 的 GaN HEMT 可以將 PCB 面積縮小 50%。

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新轉換器的優點如下四點:


利用 GaN Systems出色的晶體管開關能力,PCB 面積減少了 46%,從而實現了開關頻率高達 500kHz 的高效電源轉換器。 這允許使用非常小的 1.3μH 電感器,從而顯著減小尺寸和重量。

在廣泛的負載范圍內具有高效率。GaN與自動降相功能相結合,即使在低負載下也能實現高效功率轉換,在400W至3kW的寬負載范圍內功率效率超過94%。

ISL78226 PWM 控制器無需開發復雜的 DC/DC 轉換器控制軟件。

半橋驅動器 ISL78420/444 提供了一種簡單且經濟高效的驅動 GaN 晶體管的方法。

GaN 首席執行官 Jim Witham 表示:“汽車行業的客戶不斷尋求功率密度和成本的改進,這種設計再次反映出 GaN 以更小、更高效且更具成本效益的設計顯著提高了功率密度。該設計來自瑞薩電子這一事實意義重大,因為他們是汽車半導體解決方案的市場領導者,在了解行業需求方面享有盛譽。 這是將 GaN 技術的優勢帶給該客戶群的重要一步。”

雖然 GaN 在消費電子等行業具有巨大的吸引力,但 GaN 也正在成為混合動力和電動汽車中功率轉換和電池充電的首選技術。 GaN 以極低的成本提供比硅和碳化硅更高的性能,從而能夠經濟高效地減輕各種電動汽車的重量并提高其效率。

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