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電子堆疊新技術(shù)造出多層芯片

發(fā)布日期：2024-12-20     248 次

據(jù)科技日報消息，近日，美國麻省理工學院團隊在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的電子堆疊技術(shù)。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量，從而推動人工智能（AI）硬件發(fā)展更加高效。通過這種新方法，團隊成功制造出了多層芯片，其中高質(zhì)量半導體材料層交替生長，直接疊加在一起。

據(jù)悉，工程師們開發(fā)了一種新的多層芯片設計方案，摒棄了對硅基板的依賴，并確保操作溫度保持在較低水平以保護底層電路。這種方法允許高性能晶體設計方案，摒棄了對硅基板的依賴，并確保操作溫度保持在較低水平以保護底層電路。這種方法允許高性能晶管、內(nèi)存以及邏輯元件可以在任何隨機晶體表面上構(gòu)建，而不再局限于傳統(tǒng)的硅基底。使各半導體層之間可以更直接地接觸，進而改善層間通信質(zhì)量與速度，提升計算性能。

這項技術(shù)有望用于制造筆記本電腦、可穿戴設備中的AI硬件，其速度和功能性將媲美當前的超級計算機，并具備與實體數(shù)據(jù)中心相匹配的數(shù)據(jù)存儲能力。這項突破為半導體行業(yè)帶來了巨大潛力，使芯片能夠超越傳統(tǒng)限制進行堆疊，極大提升了人工智能、邏輯運算及內(nèi)存應用的計算能力。


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