北京，2023年9月14日——在模擬/混合信號領域享有盛譽的全球領先晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日公布，已成功拓展并新增集成無源器件（IPD）制造能力，這無疑進一步提升了其射頻（RF）業務的廣泛實力。在即將舉行的歐洲微波展（9月17日至22日，德國柏林）開幕之前，X-FAB正式發布了這一創新產品XIPD工藝。屆時，參加展會的人員將有機會與X-FAB的技術團隊（展位號：438C）就這項創新進行深入交流。

　　X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構

XIPD技術基于廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝，利用工程基底和厚銅金屬化層，使客戶能夠在其器件設計中直接集成無源元件（電感器、電容器和電阻器），從而顯著節省空間及成本。該技術將由位于法國科爾貝—埃索訥的X-FAB工廠進行生產。

隨著5G蜂窩基礎設施的推出、6G通信的發展以及新一代雷達和衛星通信技術的出現，對能夠支持更寬頻率的器件的需求不斷增加。基于XIPD平臺，可以制造出具有更高性能特征的全集成高質量無源元件，以滿足客戶對更緊湊RF/EMI濾波器、匹配網絡、平衡器和耦合器的需求。

由于使用表面貼裝或分立無源元件可能會因元件在高頻率下的偏差或元件采購復雜性的增加而帶來不便，XIPD提供了一種更為有效的解決方案，可以簡化整體系統設計、加快開發周期、簡化制造過程，并降低相關工程費用。此外，XIPD還可以適應從sub—6GHz頻段一直到毫米波高頻段的廣泛頻率范圍。

X-FAB技術的獨特之處在于可以為任何批量的集成無源器件制造提供代工服務。我們推出全面的工藝設計套件（PDK），同時支持Cadence和Keysight ADS設計環境，使客戶能夠進行完整RF子系統的精確仿真，并獲得首次成功（first-time-right）設計。目前，與幾家主要客戶的初步原型設計已經開始。

盡管RF半導體器件不斷縮小，但與之配套的無源元件仍相對較大。這種尺寸不匹配占用了過多的電路板面積，并不符合對更時尚電子設備的需求。通過采用我們的XIPD技術，不僅可以節省多個數量級的空間，還可以降低相關成本。這對于我們的客戶群而言，有可能真正改變行業的游戲規則，允許有源和無源芯片共同封裝，同時實現高產量。

此外，目前基于聲學技術的濾波解決方案無法實現毫米波頻率工作，難以滿足下一代通信標準的要求。我們的XIPD解決方案使客戶能夠實現緊湊的RF系統設計，并通過完全集成的硬件最大限度地減少損耗，從而為市場創造價值。我們已經在開展70—80GHz頻段的工作項目，而使用分立式無源方案是無法想象的。