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8英寸碳化硅時代呼嘯而來!

發布日期:2024-09-13     419 次

近日,我國在8英寸碳化硅領域多番突破,中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級,三義激光首批碳化硅激光設備正式交付,天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售,上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來,未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術,我們拭目以待。

關鍵突破!中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級

近日,中國電科48所自主研發的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。


圖片來源:中國電科

據中國電科官方消息,碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延設備,具備更快、更好、更穩定的特點,通過改進激光視覺定位、晶圓自糾偏等技術,設備自動化性能更加成熟,提升產品生產效率。設備還成功引入新的摻雜技術,進一步提升產品良率,持續降低生產成本。

三義激光:首批碳化硅激光設備正式交付

9月5日,三義激光在官微透露,他們自主研發、生產的首批6&8英寸碳化硅激光滾圓設備順利完成生產并正式交付客戶,標志著公司在高端激光加工設備領域取得了重要進展。


圖片來源:三義激光

據悉,三義激光碳化硅激光設備能利用高能激光束進行精準加工,提高生產效率,降低損耗,提升產品良率,為碳化硅的精細加工提供了高效、精準的解決方案,并具激光非接觸式加工、7×24小時無間斷工作、設備運行無需耗材等優

上海漢虹:制備8英寸碳化硅晶體

8月30日,上海漢虹官微宣布,他們在拉晶實驗室中,使用自行研發制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質8英寸碳化硅晶體,此晶體具備優良的均勻性和低缺陷密度,直徑達到200毫米標準,電阻率和晶向均符合高端應用要求。

據悉,該晶體的制備使用了上海漢虹自行研發制造的碳化硅長晶爐,采用上進料方式和自動化控制,通過熱場旋轉及熱場工藝穩定性設計,確保晶體生長過程中的溫度均勻性和穩定性,目標為新能源汽車、5G通訊等新興產業的進一步發展提供材料基礎。
天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售

近日,天岳先進披露了今年上半年財報,公司 2024 年上半年實現營業收入9.12億元,較上年同期增長 108.27%。公司連續9個季度保持營收增長趨勢。上 半年實現歸母凈利潤1.02億元,較上年同期扭虧為盈。

在技術研發上,天岳先進自主擴徑實現了2-8英寸碳化硅單晶和襯底的開發。目前該公司還在開發了液相法長晶技術,這在行業內僅有的極少數。階段性成果顯著,包括公司通過液相法實現了8inchN型4H-SiC單晶及襯底、P型4H-SiC單晶及襯底、N型3CSiC單晶及襯底等制備。

銷售方面,天岳先進在8英寸襯底上進行了前瞻性布局,已經具備先發優勢和領先地位。公司不僅實現8英寸碳化硅襯底國產化替代,公司8英寸碳化硅襯底已經率先實現海外客戶批量銷售。擴產方面,該公司上海臨港工廠二期 8 英寸碳化硅襯底擴產計劃正在推進中,公司將分階段達到規劃的8英寸襯底產能。


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