近日，首款國產(chǎn)化 110GHz 電光強度調(diào)制器產(chǎn)品成功研制，具有超高帶寬、超高速率、低啁啾、低驅(qū)動電壓、高線性度等特性，帶寬高達 110GHz，技術(shù)指標達到國際先進水平。這款調(diào)制器不僅可用于光通信、光互連、光計算、光電測試測量等領(lǐng)域，還將成為微波光子等寬帶光電子信息系統(tǒng)的重要組件。

隨著光電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，對電光調(diào)制器的性能要求也越來越高。這款國產(chǎn)調(diào)制器的成功研制，打破了美日等少數(shù)公司壟斷高端電光調(diào)制器的局面，對我國光電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。同時，這也說明我國在光電子技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)具備了較強的自主研發(fā)能力，有望在未來實現(xiàn)更多突破。

此外，該調(diào)制器還具有較低的成本和較高的可靠性，有望為產(chǎn)業(yè)客戶帶來更高效、更可靠的光電子解決方案。多家產(chǎn)業(yè)客戶已經(jīng)驗證和訂購該產(chǎn)品，表明其在市場上的應(yīng)用前景廣闊。

總之，這款國產(chǎn)化 110GHz 電光強度調(diào)制器的成功研制，是我國光電子技術(shù)領(lǐng)域的一項重要突破，將為我國光電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動力。

為盡快補齊我國高端光電子器件供應(yīng)鏈這一短板，國家信息光電子創(chuàng)新中心三年磨一劍，攻克并掌握了超高帶寬調(diào)制器芯片、RF 高性能傳輸基板、高頻電學互連焊接工藝、管殼腔體諧振抑制等關(guān)鍵技術(shù)，核心芯片和零部件實現(xiàn)全部國產(chǎn)化，今年相繼發(fā)布 40GHz、60GHz 和 90GHz 三款高帶寬光強度調(diào)制器產(chǎn)品，近日又成功實現(xiàn) 110GHz 電光強度調(diào)制器的首次國產(chǎn)化，填補了國內(nèi)空白。該系列產(chǎn)品獲得了國內(nèi)多家產(chǎn)業(yè)用戶和研究院所的驗證和訂購，將有效緩解高端光調(diào)制器的“卡脖子”問題。

▲NOEIC 電光調(diào)制器產(chǎn)品實測光信號眼圖

國家信息光電子創(chuàng)新中心于 2017 年 10 月 31 日獲工信部批準，落戶武漢“中國光谷”，致力于突破產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵共性技術(shù)瓶頸，促進成果轉(zhuǎn)化，支撐新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

國家信息光電子創(chuàng)新中心是以“公司 + 聯(lián)盟”為形式建立的新型創(chuàng)新載體，號稱由我國信息光電子領(lǐng)域具有雄厚科研實力、豐富資源優(yōu)勢、強大產(chǎn)業(yè)能力的企業(yè)、科研院所、高校、產(chǎn)業(yè)基金等各類創(chuàng)新主體打造。